小信号MOS在进行可靠性测试时失效，经测试为GS漏电，对故障样品进行失效分析。

    失效确认：IV测试，确认GS存在漏电

 

    故障点定位：对样品进行Backside处理，EMMI测试抓取存在漏电点

    化学开封，取die，因为铝层较厚未发现明显异常。

    去除铝层后，故障位置OM观察也未见明显异常。

    使用SEM观察，发现故障点疑似烧毁。

 

 

 

    使用化学去层：可见热点位置明显击穿点。

 

 

     FIB切片，发现GS烧毁。

    分析：该MOS为trench结构，结构示意图如下图所示。

    导致失效的可能原因：测试时引入ESD损伤。

经验总结：在SEM观察到异常后，直接使用FIB避免化学去层时导致故障点损伤加剧。

 

来源：Top Gun实验室

关键词： 小信号MOS管