1、漏源击穿电压与结温的关系：Vds是随温度变化而变化的，温度越低，击穿电压越低，在极端低温环境下应用时，一定要留裕量。这个参数，datasheet的正文中标注的是25℃时的数据，不同温度下的击穿电压值需要看 特性曲线。英飞凌某80V耐压的NMOS:

扬杰某100V耐压的NMOS:说明：标准方法与英飞凌稍有不同，英飞凌标注的是不同结温下的绝对值，扬杰标注的是相对值（相对25℃）举例：-50℃时， 100V*0.95=95V。

2、源极开启电压与结温的关系：结温越高，开启电压电压越低，所以在高结温的应用环境下，一定要注意注意是否存在误开启的问题（驱动因素、分布参数因素等等）英飞凌某80V耐压的NMOS:

扬杰某100V耐压的NMOS:说明：标准方法与英飞凌稍有不同，英飞凌标注的是不同结温下的绝对值，扬杰标注的是相对值（相对25℃）

2、栅源电压与结温及漏极电流的关系：其是非单调的。英飞凌某80V耐压的NMOS:

扬杰某100V耐压的NMOS:

真茂佳某80V的NMOS:

 

来源：姚XX

关键词： 功率MOS 电压结温特性