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芯片键合引入的风险

嘉峪检测网 2025-06-16 08:56

导读:本文介绍了芯片键合引入的风险。

键合Pad侧墙阻挡氧化层的核心作用

 

该结构本质是Pad金属层边缘的钝化层(Passivation Layer),通常由 SiO₂、Si₃N₄或复合介质(如SiO₂/Si₃N₄叠层) 构成,其核心功能:

1)电学隔离:防止Pad金属(Al/Cu)与周边电路短路;

2)机械防护:抵御键合应力引起的物理损伤。

键合力挤压的焦点:

当键合劈刀(Capillary)下压时,压力集中于Pad金属层与边缘阻挡氧化层的交界处(上图箭头处)。若力值过大,氧化层因脆性高、抗剪切力弱,将发生倾斜开裂或与金属层剥离。

 

 

键合力过大导致Pad侧墙受力挤压形貌

来源:Top Gun实验室

关键词: 芯片

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