作用：改善高k介质与硅衬底之间的界面质量。

材料：通常为一层薄的二氧化硅（SiO₂）。

原理：界面层有助于减少界面态密度，提高晶体管的可靠性和性能。

作用：提高栅极电容，减少栅极漏电流，提升晶体管的性能。

材料：如铪氧化物（HfO₂）。

原理：高k介质可以保持与传统二氧化硅（SiO₂）在相同电容下的同时显著增加物理厚度以降低漏电流。

作用：防止金属原子扩散到硅衬底中。

材料：如氮化钛（TiN）或氮化钽（TaN）。

原理：阻挡层可以有效阻止金属原子的迁移，减少短路和漏电流的风险。

作用：调节栅极的工作函数，进一步优化阈值电压（Vt）。

材料：功函数调节层的材料选择取决于具体的制造工艺。（Poly-Si，TiAl，TiN）

在 Gate first 工艺中，通常使用多晶硅（Poly-Si）作为功函数调节层。

而在 Gate last 工艺中，功函数调节层则采用金属材料。

对于 NMOS 晶体管，常用的功函数金属是 TiAl (~4.1eV).

对于 PMOS 晶体管，常用的功函数金属是 TiN (~5.0eV).

原理：通过选择合适的材料组合，可以精确控制晶体管的阈值电压，以适应不同的应用需求。

作用：提高上层薄膜与下层材料之间的粘附性。比如在功函数金属与最后的填充金属 Al 之间

材料：如钛（Ti）或钛氮化物（TiN）。

原理：粘附层可以增强各层之间的结合力，防止薄膜在工艺或操作过程中剥离。

作用：保护栅极结构免受后续工艺步骤（如刻蚀、化学机械抛光）的损伤。

材料：如氮化硅（Si₃N₄）或碳化硅（SiC）。

原理：保护层可以减少物理损伤和化学腐蚀，提高栅极结构的稳定性。