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商用芯片键合交叉打线判据探讨

嘉峪检测网 2025-06-23 10:44

导读:本文介绍了商用芯片键合交叉打线判据。

芯片键合检查要求:在检查芯片键合打线时,应从不同角度观察器件,以确定完全符合要求,除非这种观察可能损坏器件。

GJB548C-2021中的键合交叉打线不合格判据:

条件A(S级):引线与引线交叉(公共导线除外)。但对多层封装发生在较低层引线键合层的边界之内或向下键合的封装内,而且它们之间的最小间隙应为引直径的两倍以上,这种引线交叉是可接收的(见下图)。引线不能与1根以上的其他引线交叉;不允许多于4根交叉引线或交叉引线数量多于引线总数的10%,对任何单独封装腔体取其大者。

 

条件B(B级):

引线与引线交叉(公共导线除外)。引线与键合到不同高度引线柱上的引线交叉,或者与键合到腔体的引线交叉,如果它们之间的最小间隙保持在两个个引线直径以上时,这种交叉是可以接收的(如多层封装或带有向下键合芯片的封装)。

 

从上述国军标要求可知,芯片是不允许引线和因此案交叉的,除非是相同功能或者有高低错落层次的键合打线。但是在商用芯片中,这种交叉打线(单层封装)是非常常见的(如下图所示)。

那么,商用芯片键合交叉打线的合格判据是什么呢?先思考一下为什么不允许键合交叉打线,因为怕键合丝塌丝引起短路问题,那么是否只要交叉打线的键合丝间距足够就好了呢?

我们在回过头看一下国军标B级判据条件:引线与引线交叉(公共导线除外)。引线与键合到不同高度引线柱上的引线交叉,或者与键合到腔体的引线交叉,如果它们之间的最小间隙保持在两个个引线直径以上时,这种交叉是可以接收的(如多层封装或带有向下键合芯片的封装)。

总结,是否键合丝只要满足间距要求不会发生键合短路即可呢?

 

来源:Top Gun实验室

关键词: 芯片

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