芯片失效分析，听起来高深莫测，但其核心流程却清晰明了：首先，我们需要确认故障现象；接着，精准定位缺陷位置并仔细观察其形貌；然后，根据这些线索推断出失效的根本原因；最后，通过严谨的验证来确认我们的判断。

 

那么，如何才能在众多线索中快速锁定故障的“真凶”呢？这需要我们提前做好充分的“预习功课”。具体而言，我们可以对样品进行有针对性的故障激发，例如通过静电、浪涌、辐射等手段，模拟并加速故障的发生。一旦样品在激发下出现失效，我们便能对其进行深入的失效分析。最终，将故障激发过程中产生的现象与缺陷形貌进行系统整理，构建一个独特的“失效现象与形貌比对库”。有了这个强大的比对库，当面对实际应用中出现的失效品时，我们就能迅速根据观察到的缺陷形貌，精准地推断出失效的根源，从而大大提升故障定位的效率。

 

接下来，我们将通过一个具体的案例，带您深入了解芯片失效分析的实战应用。

 

今天对一个接口芯片做一下“预习功课”

 

样品简介：型号为TPT3232E的接口芯片

故障激发：对VCC管脚进行ESD测试，将样品打坏

热点定位：对样品进行制备后，进行热点测试，在ESD测试的管脚发现异常热点

开盖检查：正面顶层金属未见明显异常

逐层去层：去层到contact层发现疑似异常

PVC分析：确认热点位置异常

 

总结而言，芯片失效分析是一门融会贯通的综合性学科。正如我们强调的，“预习功课”——即通过有针对性的故障激发和比对库的构建——是快速定位失效根因的关键所在。这不仅能大幅缩短实际分析中的故障排查时间，更对芯片的生产、应用及整体质量控制具有深远意义。

 

来源：Top Gun 实验室

关键词： 芯片 失效故障